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江崎玲於奈(ユーチューブ動画)
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 1925年3月12日生まれ。 物理学者。1947年に東京帝国大学を卒業し、川西機械製作所に入社。真空管の陰極からの熱電子放出の研究を行った。1956年、東京通信工業株式会社(現在のソニー)に移籍。半導体研究室の主任研究員として、PN接合ダイオードの研究に着手。約1年間の試行錯誤の後、ゲルマニウムのPN接合幅を薄くすると、その電流電圧特性はトンネル効果による影響が支配的となり、逆方向の方が順方向よりも電流が流れやすいという負性抵抗を示すことを発見した。この発見は、物理学において固体でのトンネル効果を初めて実証した例であり、かつ電子工学においてトンネルダイオード(またはエサキダイオード)という新しい電子デバイスの誕生であった。この成果は最初、国内学会で発表され特に注目されなかったが、その後、欧文誌に掲載、国際会議で発表するとウィリアム・ショックレーに激賞された。この成果により、1959年には東京大学から博士の学位を授与されるとともに、1973年にノーベル物理学賞を受賞した。1992年、筑波大学学長に就任した。
(詳細 出典:Wikipedia)
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